PCVD工艺的具体流程

PCVD工艺的具体流程如下：

(1)沉积。沉积过程借助低压等离子体使流进高纯度石英玻璃沉积管内的气态卤化物和氧气在1000℃以上的高温条件下直接沉积成设计要求的光纤芯中玻璃的组成成分。

(2)熔缩。沿管子方向往返移动的石墨电阻炉对小断旋转的管子加热到大约2200℃，在表面张力的作用下，分阶段将沉积好的石英管熔缩成一根实心棒(预制棒)。

(3)套棒。为获得光纤芯层与包层材料的适当比例，将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过精心挑选的管子中，这样装配后即可进行拉丝。

(4)拉丝。套棒被安装在拉丝塔的顶部，下端缓缓放入约2100℃的高温炉中，此端熔化后被拉成所需包层直径的光纤(通常为125 cm)，并进行双层涂覆和紫外固化。

(5)光纤测试。拉出的光纤要经过各种试，以确定光纤的几何、光学和机械性能。

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化学气相沉积的分类

化学气相沉积的方法很多，如常压化学气相沉积(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低压化学气相沉积(Low pressure CVD，化学气相沉积设备报价，LPCVD)、超高真空化学气相沉积(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化学气相沉积(Laser CVD，LCVD)、金属有机物化学气相沉积(metal-organic CVD，MOCVD)，等离子体增强化学气相沉积（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。

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ICP刻蚀机简介

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一．系统概况

该系统主要用于常规尺寸样片（不超过Φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻

蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：

1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；

2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，化学气相沉积设备多少钱，

内腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.极限真空度：≤6.6x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用FF160/600分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；

停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa；

4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；

7.ICP头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；

8. 沉积工作真空：1-20Pa；

9. 气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；

10. 射频电源：2台频率 13.56MHz，功率600W，全自动匹配；

11. 6路气体，共计使用6个质量流量控制器控制进气。

气体：氦气/氧气/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蚀速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻胶：≥1μm/min

13. 刻蚀不均匀性：

优于±5%（Φ4英寸范围内）

优于±6%（Φ6英寸范围内）

14. 选择比

CF4的选择比为50，

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