化学气相沉积技术的使用

生产晶须：

晶须属于一种以为发育的单晶体，它在符合材料范畴中有着很大的作用，气相化学沉积设备哪家好，能够用于生产一些新型复合材料。
化学气相沉积法在生产晶须时使用的是金属卤化物的氢还原性质。
化学气相沉积法不但能制备出各类金属晶须，同时也能生产出化合物晶须，比如氧化铝、金刚砂、碳化钛晶须等等。

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什么是化学气相沉积？

化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。
化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。
化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。
这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程准确控制。
化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。

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方箱PECVD简介

该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，气相化学沉积设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。

设备概述：

1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；

2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；

3.极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，35分钟可达到

（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；

4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°C，采用日本进口控温表进行控温；

6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；

7. 沉积工作真空：13-1300Pa；

8.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；

9.射频电源：频率 13.56MHz，功率500W，气相化学沉积设备报价，全自动匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体，共计使用7个质量流量控制器控制进气。

11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。

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