化学气相沉积法在金属材料方面的使用
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钯的化学气相沉积Pd 及其合金对氢气有着极强的吸附作用以及特别的选择渗透性能,是一种存储或者净化氢气的理想材料。
对于Pd 的使用大多是将钯合金或是钯镀层生产氢净化设备 。
也有些学者使用化学气相沉积法将钯制成薄膜或薄层。
具体做法是使用分解温度极低的金属有机化合物当做制备钯的材料,具体包括:烯丙基Pd(η-C3H5) (η-C5H5)以及 Pd(η-C3H5)(CF3COCHCOCF3)之类的材料,使用这种方式能够制取出纯度很高的钯薄膜。
方箱PECVD简介
该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺研发设备,用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,镀膜样品为156×156mm基片(并向下兼容)。
设备概述:
1.系统采用单室方箱式结构,手动前开门;
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm;
3.极限真空度:≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后,进口化学气相沉积设备,采用分子泵抽气);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa,35分钟可达到
(采用分子泵抽气,分子泵不配,预留分子泵接口); 停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa(采用分子
泵抽气,分子泵不配,进口化学气相沉积设备哪家好,预留分子泵接口);
4.采用样品在下,喷淋头在上喷淋式进气方式;
5.样品加热加热温度:300℃,温控精度:±1°C,采用日本进口控温表进行控温;
6.喷淋头尺寸:200×200mm,喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调;
7. 沉积工作真空:13-1300Pa;
8.气路设有匀气系统,真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置;
9.射频电源:频率 13.56MHz,进口化学气相沉积设备价格,功率500W,全自动匹配;
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体,共计使用7个质量流量控制器控制进气。
11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。
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化学气相沉积技术在材料制备中的使用
化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜:
化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。
比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。
在当代,进口化学气相沉积设备多少钱,微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料,这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。
此外,也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料,例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。
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