脉冲激光沉积系统配置介绍

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脉冲激光沉积系统配置：

生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压RHEED，工作气压可达100Pa可预留法兰，用于LEED，K-Cell， E-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。

脉冲激光沉积系统特点及优势

可根据客户需求定制产品，脉冲激光沉积装置报价，灵活性高，并提供专业的技术支持；靶台可以安装6个靶位，靶材更换灵活；样品台样品尺寸从10x10mm样品到2英寸样品均适用；进样室可以存储多个靶和样品；交易过程无需繁琐的进、出关手续，脉冲激光沉积装置公司， 交货期短，；

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脉冲激光沉积简介

脉冲激光沉积，就是将激光聚焦于靶材上一个较小的面积，利用激光的高能量密度将部分靶材料蒸发甚至电离，使其能够脱离靶材而向基底运动，进而在基底上沉积，脉冲激光沉积装置厂家，从而形成薄膜的一种方式。
在众多的薄膜制备方法中，脉冲激光沉积技术的应用较为广泛，可用来制备金属、半导体、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各种物质薄膜，甚至还用来制备一些难以合成的材料膜，如金刚石、立方氮化物膜等。

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