化学气相沉积的特点

化学气相沉积法之所以得到发展，等离子化学气相沉积设备厂家，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。

I) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。

2) CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。

3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。
由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。

5) 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。

6) 设备简单、操作维修方便。

7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。
采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。

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化学气相沉积法在金属材料方面的使用

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钯的化学气相沉积Pd 及其合金对氢气有着极强的吸附作用以及特别的选择渗透性能，是一种存储或者净化氢气的理想材料。
对于Pd 的使用大多是将钯合金或是钯镀层生产氢净化设备 。
也有些学者使用化学气相沉积法将钯制成薄膜或薄层。
具体做法是使用分解温度极低的金属有机化合物当做制备钯的材料，具体包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之类的材料，使用这种方式能够制取出纯度很高的钯薄膜。

方箱PECVD简介

该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。

设备概述：

1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；

2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；

3.极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，35分钟可达到

（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；

4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°C，采用日本进口控温表进行控温；

6.喷淋头尺寸：200×200mm，等离子化学气相沉积设备哪家好，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；

7. 沉积工作真空：13-1300Pa；

8.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；

9.射频电源：频率 13.56MHz，等离子化学气相沉积设备报价，功率500W，全自动匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体，共计使用7个质量流量控制器控制进气。

11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。

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