等离子体化学气相沉积的化学反应

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等离子体内的化学反应

由于辉光放电过程中对反应气体的激励主要是电子碰撞，因此等离子体内的基元反应多种多样的，而且等离子体与固体表面的相互作用也非常复杂，这些都给PECVD技术制膜过程的机理研究增加了难度。
迄今为止，等离子化学气相沉积设备价格，许多重要的反应体系都是通过实验使工艺参数较优化，从而获得具有理想特性的薄膜。
对基于PECVD技术的硅基薄膜的沉积而言，如果能够深刻揭示其沉积机理，便可以在保证材料优良物性的前提下，大幅度提高硅基薄膜材料的沉积速率。

ICP刻蚀机检测技术

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。
已经开发出许多终点检测技术，终点检测设备就是为实现刻蚀过程的实时监控而设计的。

光学发射:

光学发射光谱法（OES）是使用较为广泛的终点检测手段。
其原理是利用检测等离子体中某种反应性化学基团或挥发性基团所发射波长的光强的变化来实现终点检测。
等离子体中的原子或分子被电子激发到激发态后，等离子化学气相沉积设备多少钱，在返回到另一个能态时，伴随着这一过程所发射出来的光线。

光线的强度变化可从反应腔室侧壁上的观测孔进行观测。
不同原子或分子所激发的光波波长各不相同，光线强度的变化反应出等离子体中原子或分子浓度的变化。
被检测的波长可能会有两种变化趋式：一种是在刻蚀终点时， 反应物所发出的光线强度增加；另一种情形是光线强度减弱。

激光干涉：

激光干涉终点法（IEP）是用激光光源检测透明薄膜厚度的变化，当厚度变化停止时，等离子化学气相沉积设备厂家，则意味着到达了刻蚀终点。
其原理是当激光垂直入射薄膜表面时，在透明薄膜前被反射的光线与穿透该薄膜后被下层材料反射的光线相互干涉。

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PCVD与传统CVD技术的区别

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PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能，从而改变了反应体系的能量供给方式。
由于等离子体中的电子温度高达10000K，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。
这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。

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