MBE 分子束外延系统扩展功能介绍

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?温度控制器：基底加热

?LN2 or CW 冷却系统

?超高真空离子泵

?反射计：原位光学厚度测控

?带自动样品递送装置的Loadlock样品加载系统

MBE分子束外延系统的特点有哪些？

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利用分子束外延不仅制取了双质结激光器、三维介质集成光波导，还可以用此法使二种光波导重叠地生长在同一基片上，制成了从一个波导移向另一个波导的锥形辋合器，其耦合系数接近于。
MBE法与其他液相、气相外延生长法相比较，其特点是：

①分子束外延生长是在超高真空下进行的，残余气体对膜的污染少，可保持极清洁的表面。

②生长温度低，如生长GaAs只有500~600℃，Si只有500℃。

③生长速度慢，(1~10μm/h)。
可生长超薄(几个μm)而乎整的膜，膜层厚度、组分和杂质浓度均可进行准确地控制。

④可获得大面积的表面和界面有原子级平整度的外延生长膜。

⑤在同一系统中，可原位观察单晶薄膜的生长过程，可以进行生长机制的研究。
外延生长的缺点是时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高。

MBE分子束外延的特点

分子束外延与其他外延方法相比具有如下的特点：

1）源和衬底分别进行加热和控制，生长温度低，如GaAs可在500摄氏度左右生长，mbe分子束外延厂家，可减少生长过程中产生的热缺陷及衬底与外延层中的杂质的扩散，可得到杂质分布陡峭的外延层；

2）生长速度低，mbe分子束外延报价，可以利用快门精密的控制掺杂、组合和厚度，是一种原子级的生长技术，有利于生长多层异质结构；

3）MBE生长不是在热平衡条件下进行的，是一个动力学过程，mbe分子束外延，因此可以生长一般热平衡生长难以得到的晶体；

4）生长过程中，表面处于真空中，利用附设的设备可以进行原位（即时）观测，分析、研究生长过程、组分、表面状态等。

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