MBE400 分子束外延系统

MBE400 分子束外延系统是一款通用型MBE系统，非常适合于III/V族， II/VI族，及其他复合半导体材料应用。
兼容2-4英寸标准晶片。
竖直分割式腔体设计，可以装配各种源炉，实现不同材料分子束外延生长。

该系统主要有蒸发沉积室、进样室、束源炉、样品磁力传递机构、样品库装置、样品加热机构、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统等组成。
样品从进样室通过磁力传递机构，分子束外延设备生产厂家，把样品送到蒸发沉积室，进行蒸发沉积等镀膜实验。

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影响MBE分子束外延的因素有哪些？

1、压力的影响

在10-3Pa真空度下，臂开的表面，分子束外延设备厂家，在1秒钟时间内即可被残余气体的单原于层所覆盖，若在10-5~10-7Pa真空条件下臂开而立即进行蒸镀，则外延温度应当更进一步地降低，分子束外延设备价格，但实险表明，并非如此。
如M和A，在高真空下进行外延蒸镀与在超高真空下进行外延蒸镀，其结果并没有多少差别。
然而，cu、Ag、Au在超高真空下，使(001)面同基片相平行，则很难生成单晶膜，这说明对Cu、Ag、Au进行外延蒸镀时，基片表面还需要进行适当的污染。
 

2、蒸发速度影响如果降低蒸发速度，分子束外延设备，外廷温度Te也降低，如下图所示，在NaCl上面蒸镀外延Au时，NaCl上面的平行方位的蒸铰速度降低，就可以在较低的基片温度下进行晶体外延。

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影响MBE分子束外延的因素有哪些？

1、外延温度为了引起外延，基片的温度应达到某一温度值，即有必要加热到外延温度以上，当温度低于外延温度时则不能引起外延。
而且外延温度还与其他条件有关，不同条件下的外延温度是不同的。

2、基片结晶的臂开在过去的常规研究方面，基片结晶是在大气下臂开(机械折断产生结晶面)而后放入真空装置中来制取外延单晶膜。
已经研究了晶面一旦臂开就立刻进行制膜的方法。
由于这两种方法不同，其外延温度也有所不同。
基片结晶在真空下臂开而引起的处延临界温度的不同值。

期望大家在选购MBE产品时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。
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