化学气相沉积的特点

化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。

I) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，化学气相沉积设备定做，以及陶瓷或化合物层。

2) CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。

3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。
由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。

5) 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。

6) 设备简单、操作维修方便。

7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。
采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。

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化学气相沉积法在金属材料方面的使用

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化学气相沉积法生产金属铱高温涂层从20世纪80年代起，NASA 开始尝试使用金属有机化合物化学气相沉积法制取出使用铼基铱作为涂层的复合喷管，化学气相沉积设备，并获得了成功，这时化学气相沉积法在生产金属涂层领域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作为制取铱涂层的材料，化学气相沉积设备销售，并利用 C15H21IrO6的热分解反应进行沉积。
铱的沉积速度很快，可以达到3~20μm/h。
沉积厚度也达到了50μm，C15H21IrO6的制取效率高达 70%以上。

化学气相沉积技术在材料制备中的使用

化学气相沉积技术生产多晶/非晶材料膜：

化学气相沉积法在半导体工业中有着比较广泛的应用。
比如作为缘介质隔离层的多晶硅沉积层。
在当代，微型电子学元器件中越来越多的使用新型非晶态材料，这种材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。
此外，也有一些在未来有可能发展成开关以及存储记忆材料，例如氧化铜-氧化铜等都可以使用化学气相沉积法进行生产。

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